南通光子芯片之后，獵頭公司量子芯片突破，近日華為、百度等陸續公布了“超導量子芯片”專利，說明中國芯片在量子芯片技術上再進一步，這對于中國芯片行業來說無疑是重大的技術突破，ASML勒住中國芯片脖子的EUV光刻機將逐漸被淘汰。

華為是中國技術研發實力*強的科技企業，在芯片技術方面更是有深厚積累，由于美國的限制，臺積電等芯片企業無法再為華為代工生產芯片，因此華為研發繞開EUV光刻機的新芯片技術更為迫切，如今它發布超導量子芯片專利，代表著它在新芯片技術方面的重大突破。

除了華為之外，在今年10月百度也公開了一件超導量子芯片專利，合肥本源量子計算公司更是在量子芯片制造、量子芯片工業設計軟件方面取得突破并籌建量子芯片生產線，這都顯示出中國芯片企業在量子芯片技術上的快速突破。

量子芯片被視為芯片技術的未來，可以大幅提升芯片的計算能力，改變當下的芯片技術路線，其實除了量子芯片之外，中國在光子芯片方面的進展更快。

日前《北京日報》報道指中國籌建全球第一條光子芯片生產線，預計到2023年實現量產，這就意味著中國在光子芯片商用方面走在了世界前面。光子芯片的運行速度將是當前硅基芯片的1000倍，而功耗將只有硅基芯片的千分之一。量子芯片和光子芯片的突破，為中國芯片行業的發展打開廣闊的前景。

對于中國芯片產業來說，目前*大的阻礙無疑就是EUV光刻機，由于眾所周知的原因，ASML至今無法對中國只有出貨EUV光刻機，而EUV光刻機對于中國芯片產業推進7nm及更先進工藝非常關鍵。

不過中國顯然不愿受困于EUV光刻機，基于現有的芯片技術，中國研發了芯粒技術，可以大幅提升芯片性能，依托于國內已經量產的14nm工藝可以獲得7nm的性能，并且中國的芯粒技術已走在世界前列，通富微電研發的5nm芯粒技術已獲得AMD的認可，AMD交給通富微電近百億美元的訂單，另外一家東莞的企業更已研發出3nm封測技術，都凸顯出中國基于現有芯片技術的突破。

正如上述當前的先進芯片制造工藝還是需要EUV光刻機，中國也在努力尋求自研EUV光刻機，據悉已申請了數十項專利，只不過EUV光刻機需要上十萬個零件，本身就是一條很長的產業鏈，解決EUV光刻機需要較長的時間，為此中國開始大舉發展新芯片技術，石墨烯芯片、量子芯片、光子芯片等都是中國正在研發的先進芯片技術。

如今中國在量子芯片、光子芯片方面都取得了突破，那就意味著中國或將實現彎道超車，徹底繞開EUV光刻機，開辟新的芯片技術路線，徹底擺脫ASML的羈絆，如此中國可以徹底掌握芯片自研技術優勢。

中國加快光子芯片的商用，量子芯片也在加快進度，對于ASML來說無疑是巨大的打擊，意味著ASML賴以自豪的EUV光刻機將因此被徹底拋棄，恐怕ASML也沒想到它研發的EUV光刻機技術竟然如此快就被拋棄吧。